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浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心-先進半導體研究院功率芯片研究室-博士后-2023年招聘計劃

時間:2023-12-12來源:中國博士人才網(wǎng) 作者:佚名

一、課題組簡介:

功率芯片研究室是以浙大電氣工程學院盛況教授團隊為核心成立的,是國內(nèi)高校中較早開展寬禁帶半導體功率芯片研究的團隊之一,研究方向包括碳化硅功率芯片、超寬禁帶半導體功率芯片、先進散熱、封裝與應用等,碳化硅功率芯片小組負責人為浙大電氣工程學院任娜研究員。2020年研究室建設完成一條國際先進的6吋碳化硅功率芯片專用工藝線,承擔了碳化硅功率芯片領(lǐng)域的多個國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金、浙江省重點研發(fā)計劃項目,并與企業(yè)成立了碳化硅功率器件技術(shù)聯(lián)合實驗室。

盛況教授,國家杰出青年基金獲得者,浙江大學求是特聘教授,博士生導師現(xiàn)任浙江大學電氣工程學院院長,浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院院長。盛教授長期從事硅和寬禁帶半導體功率芯片、封裝及應用研究,包括芯片設計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機、各類電源等領(lǐng)域中的應用,2009年回國創(chuàng)建浙江大學電力電子器件實驗室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是國內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團隊。

任娜研究員,浙江大學電氣工程學院特聘研究員、博士生導師,浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心雙聘學者、青年卓越人才計劃入選者,長期從事碳化硅功率器件的相關(guān)研究,包括器件結(jié)構(gòu)設計、工藝制造、芯片研制、抗輻射可靠性加固等方向。在器件領(lǐng)域國際知名期刊與會議上共發(fā)表70余篇論文,擁有20余項碳化硅功率器件領(lǐng)域的發(fā)明專利,并獲得首屆浙江省知識產(chǎn)權(quán)獎三等獎。

二、研究方向:

1.碳化硅MOSFET器件:碳化硅平面柵MOSFET、碳化硅溝槽柵MOSFET、關(guān)鍵工藝制造技術(shù)、大電流芯片研制技術(shù);

2.新型碳化硅功率器件:碳化硅浮空結(jié)/超級結(jié)器件、碳化硅功率集成器件、高壓大功率碳化硅器件;

3.碳化硅功率器件輻射效應與抗輻射加固:碳化硅功率器件輻射效應機理、抗輻射加固結(jié)構(gòu)設計與工藝制造方法。

 

三、博士后招聘條件及要求:

1.具有微電子、電氣、信電、光電、材料等相關(guān)專業(yè)研究背景。

2.近三年內(nèi)獲得博士學位或入職前可以獲得博士學位,以第一作者發(fā)表過SCI文章。

3.對科研工作有濃厚的興趣,有較強科研素養(yǎng)和英文讀寫能力。

4.具備較強的獨立科研能力、良好的敬業(yè)精神和團隊合作精神。

5.年齡在35周歲及以下,身心健康,可全職從事博士后研究工作。

四、職業(yè)發(fā)展與薪酬待遇:

1.具體面議,同時可享受地方政府免稅人才補助15萬元/年(外籍人才可享受17.5萬元/年。);應屆博士畢業(yè)生,符合條件者可額外享受10萬元杭州市應屆生人才補貼。

2.提供一流的實驗與科學研究條件,共享浙江大學頂尖學術(shù)生態(tài)體系。

3.提供專項科研經(jīng)費支持;對獲得中國博士后科學基金資助和省級博士后科研項目資助的,分別給予相應配套資助和獎勵;對生源優(yōu)秀或取得標志成果的博士后,給予額外獎勵(相關(guān)獎勵可疊加)。

4.符合條件的,可申報博士后海外引才專項,享受三年生活補助和安家費相關(guān)政策。

5.表現(xiàn)優(yōu)秀、業(yè)績突出者,如符合相應要求,可優(yōu)先推薦申請科創(chuàng)中心青年人才、技術(shù)研發(fā)等崗位。

6.在站期間,符合條件者可申報科創(chuàng)中心相關(guān)系列高級專業(yè)技術(shù)職務;出站優(yōu)秀者入職科創(chuàng)中心的可認定副研究員職稱,并可獲得地方政府80萬人才補貼。

7.出站后留杭或蕭山工作的,可申請杭州市D類人才或蕭山區(qū)政府相應人才政策。

8.符合條件者可享受科創(chuàng)中心人才房政策。

9.協(xié)助解決子女教育入學、辦理落戶、政府人才配套用房申請、人才項目申報、人才認定等。

10.提供一流的科研條件和博士后聯(lián)誼會交流平臺,享受園區(qū)一站式保障服務,如食堂、健身房、體育館等。

五、應聘方式:

1.提供詳細的個人簡歷,以及表明研究能力和學術(shù)水平的成果(如:學術(shù)論文、項目、獲獎情況等)及佐證材料。

2.應聘者請將材料電子版發(fā)送至科創(chuàng)中心人力資源部郵箱:hic@zju.edu.cn,或先進半導體研究院郵箱:ldl1125@zju.edu.cn,附件和郵件主題均以“功率芯片研究室+博士后+姓名 ”標明。 

應聘者的申請材料將嚴格保密,初審通過者將安排面試。

為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標題格式:應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng))

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