復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心張清純教授課題組招收全職博士后
【課題組介紹】
為加快實施創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略,由復旦大學與華大半導體聯(lián)合申報的上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心于2020年2月被上海市科委批準建立。中心通過與半導體器件生產(chǎn)和電力電子應(yīng)用企業(yè)緊密合作,致力于研發(fā)基于寬禁帶與超寬禁帶半導體,特別是碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料為核心的新型功率器件、工藝和模塊,加速下一代寬禁帶半導體功率電子的廣泛應(yīng)用。工程中心將致力創(chuàng)建具備國際領(lǐng)先水平的寬禁帶材料缺陷研究、器件制造工藝開發(fā)、元器件設(shè)計、模塊封裝以及可靠性測試、先進電力電子技術(shù)創(chuàng)新開放平臺及高層次工程技術(shù)型人才培養(yǎng)中心和產(chǎn)業(yè)化輻射中心。中心成立以來,已承擔多項寬禁帶功率器件和模塊重大項目,包括和龍頭企業(yè)研發(fā)碳化硅器件的特色新工藝、與國家重點實驗室開發(fā)超高壓碳化硅器件和封裝、參與多項省市科技重大專項等。中心正在積極建設(shè)寬禁帶半導體工藝研發(fā)創(chuàng)新平臺(復旦大學寧波研究院寬禁帶材料與器件研究所),和國際知名企業(yè)共建創(chuàng)新中心和研究院。中心現(xiàn)有教授/研究員10人,其中特聘教授5人,副教授/青年研究員15人,超級博士后2人。中心招收寬禁帶半導體物理與器件、半導體材料與集成電路、微納器件系統(tǒng)集成、器件及可靠性測試、電力電子技術(shù)等方向的物理電子學碩士、博士研究生。
中心負責人張清純教授,現(xiàn)任復旦大學特聘教授,博士生導師,上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任,復旦大學寧波研究院寬禁帶半導體材料與器件研究所所長,復旦大學工程與應(yīng)用技術(shù)研究院寬禁帶半導體與超越照明研究所副所長,專長于寬禁帶半導體物理與器件的教學、科研、應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化,長期從事SiC器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,是該領(lǐng)域國際知名專家。迄今已撰寫100余篇科技論文和SiC器件領(lǐng)域?qū)V;多次受邀在國際碳化硅、功率半導體的學術(shù)會議上作大會報告;作為第一和合作發(fā)明人,擁有100多項美國及國際專利;多次擔任ISPSD技術(shù)委員會成員和碳化硅器件分會主席;曾任國際電力電子技術(shù)路線圖研討會聯(lián)合主席等。
因研究工作需要,針對以下方向招聘博士后數(shù)名:
1)寬禁帶半導體材料生長與缺陷表征技術(shù)
2)寬帶半導體功率器件設(shè)計、先進制造工藝及器件可靠性評價
3)超寬禁帶半導體材料、器件及工藝研究
4)高頻高功率先進封裝技術(shù)與可靠性測試
【職位要求】
1)已獲得或即將獲得微電子、電力電子器件與應(yīng)用、半導體物理與材料、半導體制造裝備、材料科學與工程等相關(guān)專業(yè)的博士學位,具有扎實的理論基礎(chǔ)和較強動手實踐能力,至少具備相關(guān)領(lǐng)域一項相關(guān)研發(fā)經(jīng)驗;
2)能獨立開展研究工作,并具有優(yōu)秀的團隊合作精神,尤其是從事交叉性學科研究的能力,且具有優(yōu)秀的動手能力和主動性;
3)具有良好的英語讀寫能力,可以獨立撰寫研究論文,具有功率半導體領(lǐng)域出色研發(fā)經(jīng)歷將獲得優(yōu)先考慮。
【工作職責】
在實驗室PI的指導下完成相關(guān)課題研究,并協(xié)助指導實驗室研究生的培養(yǎng)工作。
【薪酬待遇】
1)薪資待遇參照復旦大學相關(guān)標準,博士后公寓和子女入學等按照學校相關(guān)政策執(zhí)行,課題組根據(jù)個人業(yè)績發(fā)放績效,優(yōu)秀應(yīng)聘者待遇從優(yōu)。
2)提供優(yōu)越的科研條件和穩(wěn)定的支持,鼓勵博士后按照國家和地方相關(guān)政策申報博士后基金等各項基金。
3)鼓勵參加國內(nèi)外學術(shù)會議,提供與國內(nèi)外高水平實驗室進行學術(shù)交流的機會。
請應(yīng)聘者提供個人簡歷,博士學位論文摘要,發(fā)表論文目錄和1-3篇代表作全文,以及其他可以證明本人能力和學術(shù)水平的相關(guān)資料,發(fā)送至:Qingchun_zhang@fudan.edu.cn,郵件請注明“應(yīng)聘博士后 ”。實驗室將擇優(yōu)通知面試,并提供住宿和往返車費,博后待遇從優(yōu),詳情面談。
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