招聘崗位（一）：III-V族化合物半導體材料生長或光通信光電子器件測試表征博士后（兩名）
崗位要求：
（1）理學或工學博士畢業(yè)；
（2）具有半導體材料（物理）、半導體光電子器件、導波光學或通信專業(yè)背景；（3）對研究有熱情，了解相關領域國內外最新進展，動手能力強，有較強的英語閱讀和寫作能力，在前期學習/工作過程中做出同行認可的成績；
（4）具有較強的團隊合作意識、責任心和獨立開展科研工作的能力，有意從事III-V化合物半導體異質襯底材料外延或者半導體光電子器件測試表征工作；
（5)具有化合物半導體MOCVD材料生長、光電子器件研制和表征或者光纖通信用光電子器件表征經驗者優(yōu)先考慮。
招聘崗位（二）：III-V化合物半導體器件工藝人員（兩名）
崗位職責：負責III-V族化合物半導體器件部分工藝以及相關測量表征。
崗位要求：(1)大專及以上學歷；(2)微電子、材料和物理專業(yè)畢業(yè)或者工作背景；(3)動手能力強，善于學習，吃苦耐勞，有團隊合作精神；(4)有半年以上半導體超凈間工作經驗者優(yōu)先考慮。
崗位待遇：按中科院蘇州納米所項目聘用相關規(guī)定執(zhí)行。
應聘方式：
（1）報名截止時間:招滿為止；
（2）應聘者將簡歷及畢業(yè)證書掃描件通過郵件，以“應聘崗位＋姓名”為主題發(fā)送至以下郵箱；
（3）我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應聘者，前來參加本單位組織的筆試或面試。
聯(lián)系人：張瑞英電話：0512-62872560E-mail：ryzhang2008@sinano.ac.cn
崗位待遇：目前研究所博士后月收入稅前約7500元，外加課題績效和年終獎金。業(yè)績突出者，博士后出站后可優(yōu)先留所工作。
崗位要求：
（1）理學或工學博士畢業(yè)；
（2）具有半導體材料（物理）、半導體光電子器件、導波光學或通信專業(yè)背景；（3）對研究有熱情，了解相關領域國內外最新進展，動手能力強，有較強的英語閱讀和寫作能力，在前期學習/工作過程中做出同行認可的成績；
（4）具有較強的團隊合作意識、責任心和獨立開展科研工作的能力，有意從事III-V化合物半導體異質襯底材料外延或者半導體光電子器件測試表征工作；
（5)具有化合物半導體MOCVD材料生長、光電子器件研制和表征或者光纖通信用光電子器件表征經驗者優(yōu)先考慮。
招聘崗位（二）：III-V化合物半導體器件工藝人員（兩名）
崗位職責：負責III-V族化合物半導體器件部分工藝以及相關測量表征。
崗位要求：(1)大專及以上學歷；(2)微電子、材料和物理專業(yè)畢業(yè)或者工作背景；(3)動手能力強，善于學習，吃苦耐勞，有團隊合作精神；(4)有半年以上半導體超凈間工作經驗者優(yōu)先考慮。
崗位待遇：按中科院蘇州納米所項目聘用相關規(guī)定執(zhí)行。
應聘方式：
（1）報名截止時間:招滿為止；
（2）應聘者將簡歷及畢業(yè)證書掃描件通過郵件，以“應聘崗位＋姓名”為主題發(fā)送至以下郵箱；
（3）我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應聘者，前來參加本單位組織的筆試或面試。
聯(lián)系人：張瑞英電話：0512-62872560E-mail：ryzhang2008@sinano.ac.cn
崗位待遇：目前研究所博士后月收入稅前約7500元，外加課題績效和年終獎金。業(yè)績突出者，博士后出站后可優(yōu)先留所工作。
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至：boshijob@126.com（郵件標題格式：應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網）
中國-博士人才網發(fā)布
聲明提示：凡本網注明“來源：XXX”的文/圖等稿件，本網轉載出于傳遞更多信息及方便產業(yè)探討之目的，并不意味著本站贊同其觀點或證實其內容的真實性，文章內容僅供參考。
