一、崗位描述:
從事氮化鎵相關(guān)材料研究
二、應(yīng)聘條件:
1、半導(dǎo)體材料或半導(dǎo)體物理專業(yè)背景,具有博士學(xué)位;年齡35周歲以下;
2、具有III-V氮化物光電功能薄膜的制備及與光電性能測試等方面研究背景(有GaN晶體生長和HVPE使用研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮);
3、在國外核心期刊發(fā)表論文3篇以上或申請過國家發(fā)明專利;
4、具有很強(qiáng)的獨(dú)立工作能力;工作踏實(shí)、主動性強(qiáng);
5、具有較強(qiáng)的團(tuán)隊協(xié)作精神和良好的溝通能力。
三、報名要求:
請有意競聘者提交個人簡歷,郵件主題注明“應(yīng)聘-科研人員”簡歷名稱填寫為“姓名-學(xué)校-專業(yè)-學(xué)位-畢業(yè)時間(X年X月)”。
簡歷接收截止日期:2014年12月31日。
聯(lián)系人:劉寶丹郵箱:baodanliu@imr.ac.cn
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標(biāo)題格式:應(yīng)聘職位名稱+姓名+學(xué)歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng))
中國-博士人才網(wǎng)發(fā)布
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