清華大學電子系
一、崗位職責:
1.負責半導體激光器芯片的外延結構和器件結構的設計、優(yōu)化;
2.負責半導體激光器芯片電光參數(shù)測試,包括LIV,光譜,遠場、增益譜測試等;
3.根據(jù)需要搭建相應的測試平臺,完成項目負責人安排的測試工作;
4.負責半導體激光器芯片的測試數(shù)據(jù)分析并及時出具報告,以便優(yōu)化芯片設計和工藝;
5.研究新產(chǎn)品可靠性及失效機理,提出改善建議,建立新產(chǎn)品可靠性數(shù)據(jù)庫。
二、任職要求:
1.已獲得或即將獲得相關領域的博士學位;
2.熱愛科研工作,具備良好的數(shù)學和物理功底;
3.有半導體物理、半導體材料或半導體光電子器件、半導體激光器研發(fā)經(jīng)驗者優(yōu)先;可熟練使用LabVIEW,MATLAB,Python,Minitab,JMP等軟件優(yōu)先;
4.具備良好的學術誠信、道德品質、溝通能力和團隊合作精神;具有強烈的進取心,工作積極、努力。
三、薪資待遇:
1.薪酬與福利待遇等按照清華大學博士后的相關規(guī)定執(zhí)行,對于積極進取、有潛力的優(yōu)秀博士后,我們將提供具有強競爭力的附加額外薪酬(面議);
2.可租住博士后公寓及解決子女入園、入學;
3.享受清華大學教職工社會保險、住房公積金等;
4.享受全國博管會關于出站博士后戶口遷移及家屬戶口隨遷等政策:享受出站個人及家屬的北京市戶口遷移;
5.鼓勵并推薦博士后申報各類博士后自主項目,項目資助情況如下:
(1)國家“博士后交流支持計劃引進項目”:國家給予兩年60萬元資助;
(2)清華大學博士后支持計劃:“水木清華學者”,年薪25-30萬元;“博士后創(chuàng)新人才資助計劃”,兩年50萬元;“優(yōu)秀博士畢業(yè)生”,兩年30萬元。
6.團隊支持博士后研究期間參與有關國際合作研究與交流、參加國內外學術會議。
四、申請方式:
有意者請將個人簡歷、研究工作經(jīng)歷、及可證明科研能力的其他相關電子文件,發(fā)送lane@tsinghua.edu.cn,
信息來源于網(wǎng)絡,如有變更請以原發(fā)布者為準。
來源鏈接:
http://nano-oelab.ee.tsinghua.edu.cn/Home/tzgg/tzgg_1.html?id=658&lang=zh
為防止簡歷投遞丟失請抄送一份至:boshijob@126.com(郵件標題格式:應聘職位名稱+姓名+學歷+專業(yè)+中國博士人才網(wǎng))
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